MUN5313DW1T1和MUN5313DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5313DW1T1 MUN5313DW1T1G BCR22PN

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88BCR22PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA HEF=50 R1=R2=22KΩ 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WP 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363 SC-70-6 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 385 mW 256 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 -

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

直流电流增益(hFE) - 140 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW -

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 SOT-363 SC-70-6 SOT-363

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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