对比图
型号 IXTA90N075T2 IXTP90N075T2 CSD19503KCS
描述 MOSFET N-CH 75V 90A TO-263TO-220 N-CH 75V 90A80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19503KCS
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0076 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 180W (Tc) 180W (Tc) 188 W
阈值电压 - - 2.8 V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 80 V
漏源击穿电压 - - 80 V
连续漏极电流(Ids) - 90A 100A
上升时间 28 ns - 3 ns
输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds) 2730pF @40V(Vds)
额定功率(Max) - - 188 W
下降时间 20 ns - 2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 180W (Tc) 188W (Tc)
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 16.51 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended 正在供货
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15