MUN5235T1和MUN5235T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5235T1 MUN5235T1G DTC114EEBTL

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  MUN5235T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-490

额定功率 - - 0.15 W

极性 NPN N-Channel NPN

耗散功率 - 0.31 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 202 mW 202 mW 150 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) - 310 mW 200 mW

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

长度 - - 1.7 mm

宽度 - - 0.96 mm

高度 - - 0.8 mm

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-490

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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