FDB52N20和SML20S56

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB52N20 SML20S56 APT20M45SVRG

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin(2+Tab) D3PAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Semelab Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK - D3PAK-3

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 3

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V

连续漏极电流(Ids) 52A - 56.0 A

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 56.0 A

耗散功率 - - 300 W

输入电容 - - 4.86 nF

栅电荷 - - 195 nC

上升时间 - - 14 ns

输入电容(Ciss) - - 4050pF @25V(Vds)

下降时间 - - 7 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 300000 mW

封装 D2PAK - D3PAK-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司