对比图
型号 FQD12N20LTF STD20NF20 FDD2670
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2670 场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 9.00 A 18.0 A 3.60 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 280 mΩ 0.125 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 90 W 3.2 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 18.0 A 3.60 A
上升时间 190 ns 30 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds) 1228pF @100V(Vds)
下降时间 120 ns 10 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 110W (Tc) 70 W
额定功率 - 110 W -
针脚数 - 3 2
阈值电压 - 3 V 4 V
输入电容 - 940 pF 1.23 nF
栅电荷 - 28.0 nC 27.0 nC
正向电压(Max) - 1.6 V -
额定功率(Max) - 90 W 1.3 W
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99