对比图
型号 BTS282ZE3180AATMA2 BTS282Z E3180A
描述 Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282ZE3180AATMA2, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 D2PAK (TO-263)封装Infineon TEMPFET™ MOSFET，带热控开关Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET，带集成片上热传感器，该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流晶体管的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 TO-263-7 TO-263-8
耗散功率 300 W 300 W
阈值电压 1.6 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 49 V 49 V
上升时间 37 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 3850pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)
下降时间 36 ns 36 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 7 -
漏源极电阻 0.0058 Ω -
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 80A -
长度 10 mm 10 mm
宽度 9.25 mm 9.25 mm
高度 4.4 mm 4.4 mm
封装 TO-263-7 TO-263-8
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99