BC847SH6327XTSA1和BC847SH6827XTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847SH6327XTSA1 BC847SH6827XTSA1 BC847SH6359XTMA1

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3SOT-363 NPN 45V 0.1ASOT-363 NPN 45V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363-6

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

频率 250 MHz - -

耗散功率 250 mW - -

最大电流放大倍数(hFE) 450 - -

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363-6

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台