AUIRF2907Z和IRF2907ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF2907Z IRF2907ZPBF STP160N75F3

描述 INFINEON  AUIRF2907Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRF2907ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0035 Ω 0.0045 Ω 3.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 330 W 330 W

阈值电压 2 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 170A 170A 60.0 A

上升时间 140 ns 140 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 330 W

下降时间 100 ns 100 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc)

额定功率 300 W 330 W -

输入电容 - 7500 pF -

漏源击穿电压 75 V - -

长度 10.67 mm 10 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.4 mm 4.6 mm

高度 16.51 mm 15.65 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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