对比图
型号 IRFU5305PBF MTB30P06VT4G IRFU5305
描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorIPAK P-CH 55V 31A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-263-3 TO-251-3
额定电压(DC) - -60.0 V -55.0 V
额定电流 - -30.0 A -28.0 A
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.065 Ω 80 mΩ -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 69 W 3 W 110W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 - 60 V -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 31A 30.0 A 31.0 A
上升时间 66 ns 25.9 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 3 W -
下降时间 63 ns 52.4 ns 63 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) 110W (Tc)
产品系列 - - IRFU5305
额定功率 89 W - -
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
长度 6.6 mm 10.29 mm -
宽度 2.3 mm 9.65 mm -
高度 6.1 mm 4.83 mm -
封装 TO-251-3 TO-263-3 TO-251-3
脚长度 9.65 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -