对比图
型号 NTJD5121NT1G NTJD5121NT2G FDG6301N
描述 ON SEMICONDUCTOR NTJD5121NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 VON SEMICONDUCTOR NTJD5121NT2G Dual MOSFET, Dual N Channel, 295 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V 新FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6301N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6
额定电压(DC) - - 25.0 V
额定电流 - - 220 mA
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 1 Ω 1 Ω 4 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 266 mW 250 mW 300 mW
阈值电压 1.7 V 1.7 V 850 mV
输入电容 - - 9.50 pF
栅电荷 - - 290 pC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 25 V
漏源击穿电压 - - 25.0 V
栅源击穿电压 - - 8.00 V
连续漏极电流(Ids) 330 mA, 295 mA - 220 mA
上升时间 34 ns 34 ns 4.5 ns
输入电容(Ciss) 26pF @20V(Vds) 26pF @20V(Vds) 9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW
下降时间 32 ns 32 ns 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 266 mW 250 mW 0.3 W
通道数 - 2 -
正向电压(Max) 1.2 V - -
长度 2.2 mm 2.2 mm 2 mm
宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.25 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99