对比图
型号 CY7C1911KV18-250BZC CY7C1911KV18-250BZXC CY7C1911KV18-250BZCT
描述 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 9Bit 0.45ns 165Pin FBGA T/R
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
位数 9 - 9
存取时间 0.45 ns - -
存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns
电源电压(Max) 1.9 V - -
电源电压(Min) 1.7 V - -
高度 - 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅