IRFB4110GPBF和STP120NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4110GPBF STP120NF10 STP165N10F4

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VTO-220 N-CH 100V 120A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 1

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 370 W 312 W 315 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 - - 10750 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 180 A 110 A 120A

上升时间 - 90 ns 62 ns

输入电容(Ciss) 9620pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 10500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 370 W 312 W 315 W

下降时间 - 68 ns 106 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 312000 mW 315W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 120 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.009 Ω -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

产品系列 IRFB4110G - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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