IRF7862PBF和STS11N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7862PBF STS11N3LLH5 BSO033N03MS G

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin SOIC TubeSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VINFINEON  BSO033N03MS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 P-DSO

通道数 1 - 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 1.56 W

产品系列 IRF7862 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A - -

输入电容(Ciss) 4090pF @15V(Vds) 724pF @25V(Vds) 9600pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 1.56 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0117 Ω 0.0028 Ω

阈值电压 - 1 V 1 V

上升时间 - - 12.8 ns

下降时间 - - 14 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2500 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8 P-DSO

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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