PUMD3,165和PUMD3,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMD3,165 PUMD3,135 PUMD3,125

描述 TSSOP NPN+PNP 50V 100mATSSOP NPN+PNP 50V 100mATSSOP NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363-6 TSSOP-6 TSSOP-6

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 0.3 W 0.3 W 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

封装 SOT-363-6 TSSOP-6 TSSOP-6

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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