IRF3315和IRF3315PBF的区别_IRF3315代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 TO-220AB N-CH 150V 27AINFINEON IRF3315PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定功率 - 94 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.07 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 136W (Tc) 94 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1300 pF -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

漏源击穿电压 - 150 V -

连续漏极电流(Ids) 27A 23A -

上升时间 - 32 ns -

热阻 - 1.6℃/W (RθJC) -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 94 W -

下降时间 - 38 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 136W (Tc) 94W (Tc) -

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 8.77 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -