APT47N60BC3G和FCH47N60F_F133

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT47N60BC3G FCH47N60F_F133 FCH47N60_F133

描述 超级结MOSFET Super Junction MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60F_F133  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60_F133  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.058 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.062 Ω 0.058 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 417 W 417 W 417 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 47.0 A 47A 47A

输入电容(Ciss) 7015pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 417 W 417 W 417 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 417W (Tc) 417W (Tc) 417W (Tc)

上升时间 27 ns 210 ns -

下降时间 8 ns 75 ns -

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 47.0 A - -

输入电容 7.01 nF - -

栅电荷 260 nC - -

高度 - 20.6 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.6 mm -

宽度 - 4.7 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

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