对比图
型号 IRLR120NTRLPBF STD6NF10T4 IRLR120TRPBF
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.185Ω; ID 10A; D-Pak (TO-252AA); PD 48WSTMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 VTO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.265 Ω 0.22 Ω 270 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 30 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A, 10.0 A 3.00 A 7.70 A
上升时间 35.0 ns 10 ns 64 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 48 W 30 W 2.5 W
下降时间 - 3 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 30W (Tc) 2500 mW
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 11.0 A 6.00 A -
产品系列 IRLR120N - -
输入电容 440pF @25V - -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm 6.6 mm -
高度 2.39 mm 2.4 mm -
宽度 - 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -