对比图
型号 RFG70N06 SPW47N60C3 RFP50N06
描述 70A ， 60V ，额定雪崩， N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETsINFINEON SPW47N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP50N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 650 V 60.0 V
额定电流 70.0 A 47.0 A 50.0 A
额定功率 - 415 W 131 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 14.0 mΩ 70 mΩ 22 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150W (Tc) 415 W 131 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 650 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 70.0 A 47.0 A 50.0 A
上升时间 - 27 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 415 W 131 W
下降时间 - 8 ns 13 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 415W (Tc) 131 W
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 - 15.9 mm 10.67 mm
宽度 - 5.3 mm 4.83 mm
高度 - 20.95 mm 9.4 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99