对比图
型号 IRL8113PBF STP80NF03L-04 STP90N4F3
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS STP80NF03L-04 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 VN沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 110 W 300 W 110 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V
上升时间 38.0 ns 270 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 2840pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 300 W 110 W
下降时间 - 95 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 105 A 80.0 A -
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 6 mΩ 0.004 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 2.25 V 1 V -
漏源击穿电压 - 30 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 105 A 80.0 A -
产品系列 IRL8113 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99