DS1230Y-100和DS1230AB-100+

对比图

型号 DS1230Y-100 DS1230AB-100+ DS1230AB-100-IND

描述 NVSRAM PARALLEL 256Kbit 5V 28PinMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-100+  芯片, 存储器, NVRAMNon-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

封装 DIP EDIP-28 DIP

引脚数 28 28 -

安装方式 - Through Hole -

封装 DIP EDIP-28 DIP

长度 - 39.12 mm -

宽度 - 18.8 mm -

高度 - 9.4 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Each -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) -

针脚数 - 28 -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 32000 B -

电源电压 - 4.75V ~ 5.25V -

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -