IPD50N06S4L12ATMA2和IRLR3636PBF

对比图

型号 IPD50N06S4L12ATMA2 IRLR3636PBF IPD50N06S4L12ATMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IRLR3636PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 VDPAK N-CH 60V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 143 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0096 Ω 0.0068 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 50 W 143 W 50 W

阈值电压 1.7 V 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50A 99A 50A

上升时间 2 ns 216 ns -

反向恢复时间 - 27 ns -

正向电压(Max) - 1.3 V -

输入电容(Ciss) 2220pF @25V(Vds) 3779pF @50V(Vds) 2890pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 96 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

耗散功率(Max) 50000 mW 143W (Tc) 50W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -