对比图
型号 BCR103 MMUN2231LT1G PDTC123ET,215
描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorMMUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm NPN 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-23NXP PDTC123ET,215 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 0.4 W 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V 30 @20mA, 5V
额定功率(Max) - 246 mW 250 mW
直流电流增益(hFE) - - 30
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 400 mW 250 mW
额定电压(DC) - 50.0 V -
额定电流 - 100 mA -
无卤素状态 - Halogen Free -
高度 - 1.01 mm 1 mm
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 3.04 mm -
宽度 - 1.4 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -