对比图
型号 IRF7413Z IRF7413ZTRPBF FDS6294
描述 SOIC N-CH 30V 13AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6294 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2.5 W -
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.008 Ω 11.3 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 3 W
阈值电压 - 1.8 V 1.8 V
输入电容 - 1210 pF 1.21 nF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13A 13.0 A
上升时间 50 ns 6.3 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 1210pF @15V(Vds) 1210pF @15V(Vds) 1205pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 1.2 W
下降时间 46 ns 3.8 ns 6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3W (Ta)
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 13.0 A - 13.0 A
通道数 - - 1
栅电荷 - - 10.0 nC
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
产品系列 IRF7413Z - -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99