对比图
型号 BSP51,115 BSP52T1G BC817,215
描述 NXP BSP51,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFEON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFENXP BC817,215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3
额定电压(DC) - 80.0 V -
额定电流 - 1.00 A -
无卤素状态 - Halogen Free -
输出电压 - 80 V -
输出电流 - 1 A -
电路数 - 4 -
针脚数 3 4 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.25 W 800 mW 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V 45 V
热阻 - 156℃/W (RθJA) -
集电极最大允许电流 1A 1A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 100 @100mA, 1V
额定功率(Max) 1.25 W 800 mW 250 mW
直流电流增益(hFE) 2000 1000 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 250 mW
输入电压 - 5 V -
频率 - - 100 MHz
最大电流放大倍数(hFE) - - 100 @100mA, 1V
增益带宽 200 MHz - -
长度 6.7 mm 6.5 mm 3 mm
宽度 3.7 mm 3.5 mm 1.4 mm
高度 1.7 mm 1.57 mm 1 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - NLR -