对比图
型号 STI6N62K3 STP6N62K3 R6006ANX
描述 N沟道620 V， 0.95 I© （典型值） ， 5.5 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK ， TO- 220 ， IPAK包 N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesSTMICROELECTRONICS STP6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.95 Ω 1.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 90 W 90 W 40 W
阈值电压 - 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 5.5A 5.5A -
上升时间 12 ns 12 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 875pF @50V(Vds) 875pF @50V(Vds) 520pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 40 W
下降时间 20 ns 20 ns 35 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 40W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 - 10.4 mm 10.3 mm
宽度 - 4.6 mm 4.8 mm
高度 - 15.75 mm 15.4 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -