STP6N62K3

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STP6N62K3概述

STMICROELECTRONICS  STP6N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB


立创商城:
N沟道 620V 5.5A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 4引脚


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP6N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
This STP6N62K3 power MOSFET from STMicroelectronics can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 90000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with supermesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


富昌:
STP6N62K3 系列 N 沟道 620 V 1.2 Ohm SuperMESH3™ 功率 MOSFet - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 3A; 30W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
620V,0.95Ω,5.5A,N沟道功率MOSFET


STP6N62K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.95 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 620 V

连续漏极电流Ids 5.5A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 875pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP6N62K3
型号: STP6N62K3
描述:STMICROELECTRONICS  STP6N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP6N62K3
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