IRF3315PBF和IRFB4615PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3315PBF IRFB4615PBF IRF3315

描述 INFINEON  IRF3315PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFB4615PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 150V 27A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 94 W 144 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.07 Ω 0.032 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 94 W 144 W 136W (Tc)

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 150 V -

连续漏极电流(Ids) 23A 35A 27A

上升时间 32 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1750pF @50V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 94 W 144 W -

下降时间 38 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 94W (Tc) 144W (Tc) 136W (Tc)

输入电容 1300 pF - -

热阻 1.6℃/W (RθJC) - -

长度 10.54 mm 10.67 mm -

宽度 4.69 mm 4.83 mm -

高度 8.77 mm 9.02 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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