BC859C和BC860C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859C BC860C BC859CMTF

描述 NXP  BC859C  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 250 mW, 100 mA, 420 hFENXP  BC860C  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -100 mA

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) - - 30 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 310 mW

耗散功率(Max) - 0.25 W 310 mW

针脚数 3 3 -

耗散功率 250 mW 250 mW -

直流电流增益(hFE) 420 420 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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