对比图
型号 NTB18N06LT4 STB16NF06LT4 NTB18N06
描述 功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic LevelSTMICROELECTRONICS STB16NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V功率MOSFET 15 A， 60 V ， N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 15.0 A 16.0 A 15.0 A
漏源极电阻 100 mΩ 0.07 Ω 90.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48.4W (Tc) 45 W 48.4 W
输入电容 - - 450 pF
栅电荷 - - 22.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±10.0 V ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 16.0 A 15.0 A
上升时间 121 ns 37 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)
下降时间 - 12.5 ns 13 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 48.4W (Tc) 45W (Tc) 48.4W (Tc)
额定功率(Max) 48.4 W 45 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 1 V -
长度 - 10.75 mm 10.29 mm
宽度 - 10.4 mm 9.65 mm
高度 - 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -