ICTE10CHE3_A/D和1N6383-E3/51

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE10CHE3_A/D 1N6383-E3/51 ICTE10C-E3/73

描述 Tvs Diode 10vwm 14.5vc 1.5keDiode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkDiode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 11.7 V 11.7 V 11.7 V

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

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