对比图
型号 NTB25P06T4 NTB25P06T4G NTB25P06
描述 功率MOSFET -60 V， -27.5 A， P沟道D2PAK Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAKP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor-60V,-27.5A,P沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V 60.0 V
额定电流 -25.0 A -25.0 A 27.5 A
通道数 1 1 -
漏源极电阻 65 mΩ 0.07 Ω 65.0 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 120 W 120 W 120 W
漏源极电压(Vds) 60.0 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - -
栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 27.5 A 27.5 A
上升时间 72 ns 72 ns 72 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds)
下降时间 190 ns 190 ns 190 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 120000 mW 120 W 120 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1.68 nF
栅电荷 - - 50.0 nC
额定功率(Max) - 120 W 120 W
针脚数 - 3 -
长度 10.29 mm 10.29 mm 10.29 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 800
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)