对比图
型号 STD18N55M5 STD86N3LH5 SPP04N80C3
描述 STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.18 Ω 0.0045 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 90 W 70 W 63 W
阈值电压 4 V 1.8 V 3 V
漏源极电压(Vds) 550 V 30 V 800 V
漏源击穿电压 550 V - 800 V
连续漏极电流(Ids) 16A - 4.00 A
上升时间 9.5 ns 14 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1260pF @100V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 70 W 63 W
下降时间 13 ns 10.8 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) 63W (Tc)
输入电容 - 1850 pF -
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 4.00 A
额定功率 - - 63 W
长度 6.6 mm 6.6 mm 10 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 4.4 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 15.65 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -