ZTX558和ZTX558STZ

对比图

型号 ZTX558 ZTX558STZ BF488

描述 DIODES INC.  ZTX558  单晶体管 双极, PNP, 400 V, 50 MHz, 1 W, 200 mA, 100 hFEPNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORPNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 E-Line-3 SPT

频率 50 MHz 50 MHz -

额定电压(DC) -400 V -400 V -

额定电流 -200 mA -200 mA -

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 350 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

直流电流增益(hFE) 100 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

封装 TO-226-3 E-Line-3 SPT

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -