STD40NF3LL和STD40NF3LLT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD40NF3LL STD40NF3LLT4

描述 N沟道30V - 0.0095欧姆 - 40A DPAK低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETN沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 40.0 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 11.5 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 80 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 40A 40.0 A

上升时间 - 156 ns

输入电容(Ciss) - 1650pF @25V(Vds)

下降时间 - 28 ns

耗散功率(Max) - 80W (Tc)

宽度 - 6.2 mm

封装 DPAK TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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