PHD3055E和PHD3055E,118

对比图

型号 PHD3055E PHD3055E,118 PHD3055E/T3

描述 PHD3055E N沟道MOSFET 60V 10.3A TO-252/D-PAK marking/标记 PHD3055E 雪崩能量/桥电路中使用Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 TO-252 TO-252-3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 33 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 10.3 A -

上升时间 - 26 ns -

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 33W (Tc) -

额定功率(Max) 33 W - -

封装 TO-252 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -