对比图
型号 2N5672 JANTXV2N5672 JAN2N5672
描述 Trans GP BJT NPN 120V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-3
极性 - NPN NPN
耗散功率 6 W 6 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 120 V 120 V
集电极最大允许电流 - 30A 30A
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @15A, 2V -
额定功率(Max) - 6 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 6000 mW 6000 mW 6000 mW
封装 TO-3 TO-3 TO-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
香港进出口证 - NLR -