PD55025S-E和PD55025STR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55025S-E PD55025STR-E PD55025-E

描述 RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsTrans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/RLDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RF

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 7 A - 7 A

耗散功率 79 W 79 W 79 W

漏源极电压(Vds) 40 V - 40.0 V

漏源击穿电压 40.0 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A - 7.00 A

输出功率 25 W 25 W 25 W

增益 14.5 dB 14.5 dB 14.5 dB

测试电流 200 mA 200 mA 200 mA

输入电容(Ciss) 86pF @12.5V(Vds) 86pF @12.5V(Vds) 86pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW 79000 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

极性 N-Channel - -

长度 - 7.5 mm 7.5 mm

宽度 - 9.4 mm 9.4 mm

高度 - 3.5 mm 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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