BCR141S和DTA123EM3T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR141S DTA123EM3T5G BC818-16

描述 NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface, driver circuit)数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkTransistor: NPN; bipolar; 25V; 800mA; 310mW; SOT23

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-723-3 SOT-23

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 - PNP -

耗散功率 - 260 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

额定功率(Max) - 260 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 600 mW 310 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

长度 - 1.2 mm -

宽度 - 0.8 mm -

高度 - 0.5 mm -

封装 - SOT-723-3 SOT-23

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

材质 - - Silicon

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