BUK7575-100A和IRL540PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7575-100A IRL540PBF STP24NF10

描述 NXP  BUK7575-100A  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 75 mohm, 10 V, 3 VVISHAY  IRL540PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 77 mohm, 5 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-78 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.075 Ω 0.077 Ω 0.055 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 99 W 150 W 85 W

阈值电压 3 V 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 28.0 A 26.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 23.0 A - 26.0 A

额定功率 - - 85 W

通道数 - - 1

输入电容 - - 870 pF

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 45 ns

输入电容(Ciss) - - 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 85 W

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 85W (Tc)

封装 SOT-78 TO-220 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 9.15 mm

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Unknown - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/06/16

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃

ECCN代码 - - EAR99

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