对比图
型号 AOD11S60 NDD60N360U1-35G STW12NM60N
描述 DPAK N-CH 600V 11A600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFETN沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-247-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 208 W 114W (Tc) 90W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11A 11A 10A
上升时间 20 ns - -
输入电容(Ciss) 545pF @100V(Vds) 790pF @50V(Vds) 960pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 208 W - 90 W
下降时间 20 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 208W (Tc) 114W (Tc) 90W (Tc)
无卤素状态 - Halogen Free -
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free