对比图
型号 IXFH12N100 2SK1120(F) STW11NK100Z
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 4.5 VTOSHIBA 2SK1120(F) 功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 8 A, 1 kV, 1.5 ohm, 10 V, 3.5 VSTMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-204 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV
额定电流 12.0 A - 8.30 A
额定功率 - 150 W 230 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.05 Ω 1.8 Ω 1.38 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 150 W 230 W
阈值电压 4.5 V 3.5 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1000 V
漏源击穿电压 - - 1.00 kV
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 8.00 A 8.30 A
上升时间 33 ns - 18 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) - 3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 230 W
下降时间 32 ns - 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) - 230W (Tc)
长度 - - 15.75 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 - - 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-204 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99