BSO094N03S和BSO104N03S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO094N03S BSO104N03S FDS4897C

描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS®2 Power-TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.2 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 SOIC-8

引脚数 - - 8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 13.0 A 13.0 A -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.56 W 1560 mW 2 W

输入电容 2.30 nF 2.13 nF -

栅电荷 18.0 nC 16.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.0 A 6.2A/4.4A

上升时间 4.4 ns 4.2 ns -

输入电容(Ciss) 2300pF @15V(Vds) 2130pF @15V(Vds) 760pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 900 mW

下降时间 4.4 ns 4.2 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) 2000 mW

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.021 Ω

阈值电压 - - 1.9 V

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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