对比图
型号 BCW66GLT3G SBCW66GLT1G BCW66GLT1G
描述 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管SOT-23 NPN 45V 0.8AON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.3 W 0.3 W 330 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 800 mA
针脚数 - - 3
直流电流增益(hFE) - - 60
长度 3.04 mm - -
宽度 2.64 mm - -
高度 1.11 mm - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99