对比图
型号 IRF7759L2TRPBF IRF7779L2TRPBF IRF7759L2TR1PBF
描述 INFINEON IRF7759L2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V 新INFINEON IRF7779L2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 150 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新INFINEON IRF7759L2TR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 75 V, 1.8 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 15 15 5
封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET L8
额定功率 125 W 125 W -
针脚数 15 15 5
漏源极电阻 0.0018 Ω 0.009 Ω 0.0018 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 125 W 125 W 125 W
阈值电压 3 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 75 V 150 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 160A 67A 160A
上升时间 87 ns 19 ns -
输入电容(Ciss) 12222pF @25V(Vds) 6660pF @25V(Vds) 12222pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 12 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
输入电容 - 6660 pF -
长度 9.15 mm - -
宽度 7.1 mm - -
高度 0.74 mm - -
封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET L8
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17