对比图
描述 NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 4 -
封装 TO-261-4 Macro-X 244A-01
频率 4000 MHz - -
针脚数 3 - -
极性 NPN - NPN
耗散功率 1 W 2000 mW 5 W
击穿电压(集电极-发射极) 18 V 16 V 17 V
最小电流放大倍数(hFE) 25 @100mA, 10V 30 @50mA, 10V 50 @50mA, 5V
额定功率(Max) 1 W 2 W -
直流电流增益(hFE) 70 - -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW 2000 mW -
输出功率 - 0.5 W -
增益 - 9.5 dB 13 dB
长度 6.7 mm - -
宽度 3.7 mm - -
高度 1.7 mm 2.54 mm -
封装 TO-261-4 Macro-X 244A-01
工作温度 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -