对比图
型号 PBSS5330PA PBSS5580PA PBSS5580PA,115
描述 30 V ，3A PNP低VCEsat晶体管晶体管 30 V, 3 A PNP low VCEsat transistor低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，NexperiaHUSON3 PNP 80V 4A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-1061 HUSON SOT-3
引脚数 3 3 -
极性 PNP - PNP
击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 80 V
集电极最大允许电流 3A - 4A
最小电流放大倍数(hFE) - 70 140 @2A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - - 265
额定功率(Max) - - 2.1 W
耗散功率 500 mW - -
直流电流增益(hFE) 320 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 500 mW -
宽度 - 2.1 mm 2.1 mm
封装 SOT-1061 HUSON SOT-3
长度 - 2.1 mm -
高度 - 0.65 mm -
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -