ZVP2106GTA和ZVP2106GTC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVP2106GTA ZVP2106GTC ZVP2106G

描述 P沟道 60V 450mATrans MOSFET P-CH 60V 0.45A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RDIODES INC.  ZVP2106G  晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 4 - 4

封装 TO-261-4 SOT-223 SOT-223

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 - - 4

漏源极电阻 5.00 Ω - 5 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 0.2 W - 2 W

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 450 mA - 450 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -450 mA - -

输入电容 100 pF - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 15 ns - -

输入电容(Ciss) 100pF @18V(Vds) - -

额定功率(Max) 2 W - -

下降时间 15 ns - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

封装 TO-261-4 SOT-223 SOT-223

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -

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