对比图
型号 IXTH24N50 IXTH24N50Q STW26NM50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTH24N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin(3+Tab) TO-247ADSTMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管晶体管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 24.0 A - 30.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.23 Ω - 0.12 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 300 W 360 W 313 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A - 30.0 A
上升时间 33 ns 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) - 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W - 313 W
下降时间 30 ns 11 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) - 313W (Tc)
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.26 mm -
宽度 - 5.3 mm -
高度 - 21.46 mm -
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/06/16
ECCN代码 - - EAR99