BCW66GLT1G和JAN2N1711

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW66GLT1G JAN2N1711 BC817-40-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFENPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORDIODES INC.  BC817-40-7-F  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-5 SOT-23-3

频率 100 MHz - 100 MHz

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 330 mW 0.8 W 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 30 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 100 @150mA, 10V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 800 mW 310 mW

直流电流增益(hFE) 60 - 250

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 800 mW 310 mW

额定电压(DC) 45.0 V - -

额定电流 800 mA - -

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 0.98 mm

封装 SOT-23-3 TO-5 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台