对比图
型号 STP23NM60N STW23NM60N STI23NM60ND
描述 N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFETN沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
耗散功率 150 W 150 W 150 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 15 ns 15 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
下降时间 36 ns 36 ns 42 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源极电阻 180 mΩ 180 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 9.50 A 9.50 A -
额定功率(Max) 150 W - -
长度 10.4 mm 15.75 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.6 mm
高度 9.15 mm 20.15 mm 10.75 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free